SK Hynix rozpoczyna masową produkcję pamięci DRAM w technologii 1 nm EUV. Bardziej energooszczędny RAM w zasięgu ręki?

SK hynix Inc. ogłosiło, że w tym miesiącu rozpoczęło masową produkcję mobilnej pamięci DRAM 8 Gigabit (Gb) LPDDR4 opartej na technologii produkcyjnej 1 anm, która jest czwartą generacją technologii 10 nm.

SK Hynix planuje dostarczać najnowsze produkty mobilnej pamięci DRAM producentom smartfonów od drugiej połowy 2021 roku. To pierwszy raz, kiedy SK Hynix zaadoptował sprzęt tupu EUV do masowej produkcji DRAM. W miarę jak rozwój technologii postępuje, coraz większa liczba firm półprzewodnikowych stosuje sprzęt EUV do produkcji swoich układów.

SK Hynix oczekuje, że nowa technologia przyniesie poprawę produktywności i jeszcze bardziej zwiększy konkurencyjność kosztową. Firma spodziewa się, że technologia 1anm doprowadzi do 25% wzrostu liczby chipów DRAM produkowanych z tego samego rozmiaru wafla w porównaniu z poprzednim węzłem – 1znm. SK Hynix przewiduje, że 1 anm DRAM prawdopodobnie pomoże również złagodzić warunki podaży i popytu na światowych rynkach w następstwie globalnego wzrostu popytu na DRAM.

Cho Youngmann, wiceprezes SK Hynix, powiedział: „Dzięki zwiększonej produktywności i konkurencyjności kosztowej, najnowsza pamięć DRAM 1 anm nie tylko pomoże zapewnić wysoką rentowność, ale także ugruntuje status SK Hynix jako wiodącej firmy technologicznej dzięki wczesnemu przyjęciu technologii litografii EUV do masowej produkcji.”

Nowy produkt osiąga stabilne 4266 Mb/s, najszybszy transfer w standardowej specyfikacji mobilnej pamięci DRAM LPDDR4 i obniżył zużycie energii o 20% względem wcześniej stosowanego procesu.

Należący do Huawei, HiSilicon podpisał umowę z Shenzhen JT Automation Equipment – firmą, która zajmuje się optoelektroniką. Ten ruch potwierdza wolę wybudowania własnych fabryk półprzewodników.