G.Skill przygotowuje moduły pamięci DDR5-6000 CL30 16 GB Trident Z5 z obsługą EXPO dla procesorów AMD Ryzen 7000
Producent pamięci, G.Skill, będzie oferował zupełnie nową specyfikację DDR5 w ramach swojej rodziny Trident Z5 dla procesorów AMD Ryzen 7000 ze wsparciem technologii EXPO. Na podstawie informacji, które uzyskaliśmy, wygląda na to, że producent modułów pamięci zaoferuje swój zestaw o najniższych opóźnieniach w zakresie transferu 6 Gbps dla układów Zen 4.
Konkretny zestaw pamięci od G.Skill to „F5-6000J3038F16G” i sądząc po nazwie, jest to moduł pamięci typu single-stick, który pracuje z prędkością transmisji DDR5-6000 i ma timingi ustalone na poziomie CL30-38-38-96. Dla porównania z zestawem o najniższych opóźnieniach, jaki można dostać z obsługą XMP dla platformy procesorowej Intela jest „F5-6000J3040F16G”, który charakteryzuje się takimi samymi prędkościami DDR5-6000, ale nieco wyższymi timingami CL-30-40-96. Oba moduły pamięci mają mieć napięcie znamionowe 1,35-1,45V.
Moduły pamięci G.Skill Trident Z5 DDR5 będą wyposażone w obsługę EXPO (Extended Profiles For Ryzen Overclocking) i będą kompatybilne z płytami AMD z serii X670E, X670 i B650(E). Można również potwierdzić, że moduły te będą wyposażone w pamięci SK Hynix DDR5 DRAM ICs i otrzymają ten sam kontroler PMIC (Power Management IC), co reszta modułów DDR5, ponieważ jest to specyfikacja JEDEC.
Moduły pamięci DDR5-6000 będą idelane dla procesorów AMD Ryzen 7000 opartych na architekturze rdzeni Zen 4 wykorzystujących technologię EXPO. Zestawy pamięci DDR5-6000, które zostały zoptymalizowane z obsługą EXPO, będą oferować najlepszą wydajność przy najniższych opóźnieniach w FCLK 1:1 (3 GHz). Jednak dla tych, którzy chcą korzystać z wyższej przepustowości, będą dostępne szybsze moduły DDR5, które osiągały szybkość DDR5-6400.
Oprócz wsparcia dla DDR5 i EXPO, wiemy również, że partnerzy AMD będą początkowo oferować swoje płyty główne z AGESA v1.0.0.1 Patch (D-G), jednak bardziej dopracowany firmware AGESA znany jako v1.0.0.2 będzie dostępny kilka tygodni później.