Samsung przygotował moduły pamięci DDR5 nowej generacji o pojemności 1 TB.

Samsung rozpoczął prace nad modułami pamięci DDR5 nowej generacji o pojemności do 1 TB.

Stałe rośnie zapotrzebowanie na pamięć operacyjna w centrach danych. W miarę jak systematycznie przenosimy wiele zadań do chmury, centra danych potrzebują więcej pamięci RAM, by poradzić sobie z rosnącymi wymaganiami. Rzecz w tym, że wielkość fizyczna serwerów pozostaje taka sama. Ergo, moduły pamięci muszą być bardziej pojemne.

W miarę zbliżania się do premier procesorów Intel 13. generacji Core i serii AMD Ryzen 7000, pamięć DDR5 stopniowo staje się normą także dla głównego nurtu zastosowan konsumenckich. W skrócie – potrzeba więcej nowoczesnej, szybkiej i pojemnej pamięci.

Kluczowe jest jednak zastosowanie w obszarze data center, gdzie zdecydowanym liderem produkcji pamięci jest Samsung. Koreańska firma prowadzi także w wyścigu technologicznym. Samsung przekroczył 64 GB, 128 GB, 512 GB, a nawet 768 GB, opracowując pierwszy moduł pamięci DDR5 o pojemności 1 TB na potrzeby jesiennej nowości szykowanej przez AMD – procesorów EPYC Genoa.

Pojemność to tylko jeden aspekt przemawiający na rzecz DDR5. Kluczowe w obszarze data center są także szybkość (gdzie także jest poprawa względem DDR5) i zapotrzebowanie na prąd. Napięcie w przypadku DDR5 jest zredukowane do 1,1 V, podczas gdy częstotliwości mogą osiągnąć nawet 7200 MHz. Ma być więc zarówno szybciej, jak i z mniejszym apetytem na energię elektryczną.

Counterpoint Research w badaniu „5G Smartphone Shipments Rising in Emerging Markets”: rosną dostawy, a realme awansuje do globalnego TOP 6.