Samsung przyspiesza prace nad HBM4E, próbki dla NVIDIA już w maju

Samsung przygotowuje się do kolejnego etapu rywalizacji na rynku pamięci dla sztucznej inteligencji. Firma planuje jeszcze w maju dostarczyć pierwsze próbki układów HBM4E do NVIDIA, co może mieć znaczenie dla przyszłych platform AI. Stawką jest pozycja lidera w jednym z najszybciej rosnących segmentów półprzewodników.

Samsung Electronics planuje rozpocząć produkcję pierwszych próbek pamięci HBM4E już w maju 2026 roku. Zanim układy trafią do NVIDIA, przejdą wewnętrzną walidację pod kątem wydajności i stabilności.

Proces produkcji zakłada podział prac pomiędzy dwa kluczowe segmenty firmy. Logiczna część układu powstanie w ramach działalności foundry, gdzie wykorzystany zostanie proces technologiczny klasy 4 nm. Następnie komponenty trafią do działu pamięci, gdzie zostaną połączone z warstwami DRAM w zaawansowanym procesie pakowania.

To istotny krok, ponieważ HBM4E ma być już siódmą generacją pamięci wysokiej przepustowości, zaprojektowaną z myślą o najbardziej wymagających zastosowaniach AI.

Parametry i znaczenie dla AI

Według dostępnych informacji HBM4E ma osiągać przepustowość na poziomie około 4,0 TB/s oraz transfer do 16 Gb/s na pin. To wyraźny wzrost względem HBM4 i kolejny krok w kierunku eliminowania wąskich gardeł w systemach AI.

Pamięci HBM odgrywają kluczową rolę w akceleratorach obliczeniowych, szczególnie w układach GPU i systemach treningowych. Wraz ze wzrostem skali modeli sztucznej inteligencji rośnie zapotrzebowanie na szybki dostęp do danych, a to właśnie HBM decyduje o realnej wydajności całej platformy.

Nie bez znaczenia jest fakt, że HBM4E ma znaleźć zastosowanie w nadchodzących platformach NVIDIA, w tym w architekturze Vera Rubin, która ma zastąpić obecną generację systemów AI.

GTC 2025: NVIDIA prezentuje nowe procesory graficzne – Rubin oraz Blackwell Ultra

Konkurencja nie śpi

Samsung nie jest jedynym graczem, który walczy o dominację w tym segmencie. SK hynix również intensywnie rozwija własne rozwiązania HBM4E i planuje wykorzystanie jeszcze bardziej zaawansowanych procesów technologicznych.

Rynek pamięci dla AI stał się jednym z najbardziej konkurencyjnych obszarów półprzewodników. W poprzedniej generacji, czyli HBM3E, Samsung miał trudności z utrzymaniem tempa wobec rywali, co przełożyło się na mniejszy udział w kluczowych projektach.

Obecne działania wskazują, że firma chce uniknąć powtórki tego scenariusza. Przyspieszenie harmonogramu i szybkie dostarczenie próbek do NVIDIA może mieć bezpośredni wpływ na przyszłe kontrakty.