Innowacyjne pakowanie chipów w Samsungu: rusza budowa linii dla technologii hybrid bonding

Koreański gigant rozpoczął tworzenie linii produkcyjnej wykorzystującej zaawansowaną metodę hybrid bonding w zakładach w Pyeongtaek. Rozwiązanie to ma umożliwić masowe wytwarzanie pamięci HBM oraz układów logicznych nowej generacji, których debiut zaplanowano na przełom obecnej i przyszłej dekady.

Nowoczesna linia w Pyeongtaek

Samsung Electronics planuje wyposażyć swój kampus w Pyeongtaek w około 50 automatów do łączenia struktur krzemowych metodą die-to-wafer. Pierwsze urządzenia mają trafić do fabryk pod koniec 2026 roku, co pozwoli na rozpoczęcie testów i przygotowanie do masowego wytwarzania komponentów. Choć instalacja ruszy stosunkowo niedługo, wewnętrzne prognozy firmy wskazują, że pełne wykorzystanie mocy produkcyjnych nastąpi w 2029 lub 2030 roku. Technologia ta będzie niezbędna przy produkcji pamięci HBM5, które trafią prawdopodobnie do nadchodzących procesorów graficznych NVIDIA o nazwie kodowej Feynman. Metoda ta pozwala na bezpośrednie łączenie miedzi z miedzią między warstwami krzemu, co eliminuje potrzebę stosowania tradycyjnych wyprowadzeń i znacząco skraca drogę sygnału.

Wyzwania sprzętowe i wybór dostawców

Obecnie głównym kandydatem na dostawcę maszyn jest holenderska firma BESI, jednak rozmowy wciąż trwają ze względu na wysokie koszty oraz specyficzne wymagania techniczne Samsunga. Cena jednego urządzenia oscyluje wokół 6 miliardów wonów, co stanowi niemal dwukrotność kwoty oferowanej przez konkurencję. Z tego powodu koreański producent rozważa skorzystanie z rozwiązań rodzimych dostawców, takich jak własna spółka zależna SEMES czy firma Hanwha Semitech. Ta druga dostarczyła już systemy do oceny dla SK hynix, co potwierdza wysoką jakość lokalnych rozwiązań w obszarze zaawansowanego pakowania półprzewodników. Samsung oczekuje od partnerów modyfikacji architektury maszyn, co na ten moment jest punktem spornym w negocjacjach z zagranicznym liderem rynku.

Potencjał technologii 3D Cube-H

Zastosowanie hybrid bonding otwiera drzwi do tworzenia spersonalizowanych pamięci HBM, gdzie tradycyjne warstwy krzemu zostaną zastąpione wyspecjalizowanymi układami logicznymi dostosowanymi do konkretnych zadań. Samsung zaprezentował już rozwiązanie 3D Cube-H, które pozwala na pionowe układanie struktur w sposób znacznie wydajniejszy niż dotychczasowe metody. Taka architektura 3D system-in-package zapewnia szybszy transfer danych i mniejsze zużycie energii, co ma kluczowe znaczenie dla systemów obliczeniowych o wysokiej wydajności oraz nowoczesnej sztucznej inteligencji. Dzięki integracji logiki klienta bezpośrednio w stosie pamięci, możliwe staje się zoptymalizowanie współpracy z zewnętrznymi procesorami i układami graficznymi.