Siemens i TSMC automatyzują projektowanie półprzewodników za pomocą agentic AI

Siemens Digital Industries Software oraz koncern TSMC rozszerzają współpracę w obszarze automatyzacji projektowania zaawansowanych półprzewodników przy użyciu autonomicznej sztucznej inteligencji. Partnerzy wprowadzają rozwiązania automatycznie korygujące błędy wykrywane podczas weryfikacji reguł projektowych w cyfrowych i niestandardowych układach scalonych. Rozwiązanie skróci czas potrzebny na osiągnięcie etapu tapeout i zmniejszy zakres pracy ręcznej inżynierów.

Automatyzacja weryfikacji i korekty błędów w projektach

Zgodnie z oficjalnym komunikatem przedsiębiorstw z 7 października 2026 roku, nowa technologia bazująca na agentic AI zostaje zintegrowana z pakietami oprogramowania Calibre, Aprisa oraz Solido. Calibre Check Assist odpowiada za bieżącą analizę usterek wykrytych podczas weryfikacji reguł projektowych oraz ich automatyczne usuwanie. System potrafi samodzielnie wnioskować o strukturze skomplikowanych układów, koordynować zadania między wieloma narzędziami EDA oraz proaktywnie dbać o poprawę jakości projektu. Dodatkowo wykorzystanie technologii NVIDII zwiększa wydajność przetwarzania tokenów w obciążeniach sztucznej inteligencji, zmniejszając koszty operacyjne generowane przez nią.

Rozwój złożonych konstrukcji półprzewodnikowych

Siemens i TSMC rozwijają równolegle obsługę metod pakowania półprzewodników 2.5D CoWoS-L (Chip on Wafer on Substrate-L). W przeciwieństwie do tradycyjnego CoWoS z pełnym krzemowym interpozerem, CoWoS-L umieszcza lokalne połączenia krzemowe wyłącznie w miejscach, w których są one niezbędne, co przypomina architekturę EMIB stosowaną przez firmę Intel. Oprócz tego wsparciem objęto platformę pakowania trójwymiarowego TSMC 3D Fabric oraz technologię SoIC, dla której wykorzystano oprogramowanie weryfikacyjne Calibre 3DStack Advanced.

Kolejne generacje układów w planach

Zestaw narzędzi z rodziny Siemens Calibre uzyskał pełną certyfikację dla procesu A14 opracowanego przez TSMC. Obaj partnerzy rozwijają również środowisko przeznaczone do analizy integralności zasilania oraz niezawodności połączeń wzajemnych dla procesów litograficznych N2 i N3. Wprowadzone udoskonalenia mają pozwolić projektantom na szybsze tworzenie skomplikowanych struktur krzemowych przy zachowaniu pełnej stabilności i wydajności.