Applied Materials i SK Hynix łączą siły, by przyspieszyć pamięci dla AI

Gigant inżynierii materiałowej Applied Materials oraz lider rynku pamięci SK Hynix ogłosili zawarcie długoterminowej współpracy. Celem partnerstwa jest stworzenie nowej generacji pamięci DRAM oraz HBM (High Bandwidth Memory), które staną się fundamentem dla coraz bardziej wymagających systemów sztucznej inteligencji.

Wspólny zespół inżynierów obu firm rozpocznie pracę w nowo otwartym centrum badawczym EPIC Center firmy Applied Materials w Dolinie Krzemowej. Inwestycja ta ma na celu rozwiązanie jednego z największych problemów współczesnej technologii: narastającego „wąskiego gardła” między mocą obliczeniową procesorów a szybkością transferu danych z pamięci.

Głównym punktem współpracy jest przyspieszenie prac nad pamięciami HBM4 – szóstą generacją pamięci o wysokiej przepustowości. Według ekspertów rynkowych:

• Pamięci HBM4 będą oferować ponad 2,5-krotnie większą przepustowość niż ich poprzednicy.

• Wydajność energetyczna wzrośnie o ponad 40%, co jest kluczowe dla gigantycznych centrów danych AI, takich jak te budowane przez Microsoft czy xAI.

• Projekt jest realizowany pod kątem nadchodzącej flagowej architektury Nvidii o nazwie kodowej „Vera Rubin”.

To drugie tak duże ogłoszenie Applied Materials tego samego dnia – rano firma poinformowała o analogicznym porozumieniu z amerykańskim Micron Technology. Tak intensywne działania wynikają z krytycznej sytuacji na rynku: ceny pamięci DRAM wzrosły w ostatnim roku o blisko 700%, a nakłady na infrastrukturę AI w 2026 roku mają osiągnąć rekordowe 650 miliardów dolarów.

„Największą przeszkodą w rozwoju AI jest dziś dysonans między szybkością pamięci a postępem w procesorach. Nasza współpraca ma na celu wytyczenie nowej mapy drogowej dla innowacji zoptymalizowanych pod AI” – stwierdził Nohjung Kwak, CEO SK Hynix.