Chiński gigant DRAM CXMT miał osiągnąć 80% wydajności DDR5 i chce więcej

Obok informacji dotyczących postępów globalnych gigantów DRAM, czyli SK Hynix i Samsung, krążą plotki, że czołowy chiński producent DRAM CXMT utknął na poziomie 10-20% wydajności DDR5. Czy sytuacja rzeczywiscie jest aż tak dramatyczna?

Według TechPowerUp CXMT poczynił znaczne postępy w produkcji DDR5, ponieważ wskaźnik wydajności osiągnął podobno aż 80%. Według doniesień, powołujących się na raport analityka, stanowi to znaczny skok w stosunku do początkowej wydajności 50%, gdy produkcja dopiero się rozpoczynała. Co ciekawe, raport podaje, że CXMT zamierza dalej zwiększać wydajność DDR5 do około 90% i to do końca 2025 r.

Artykuł wskazuje, że na razie CXMT prowadzi dwie fabryki w Hefei. Pierwsza ma być skupiona na produkcji DDR4 z wydajnością 100 000 płytek miesięcznie, przy użyciu 19 nm. CXMT podobno osiągnął 90% wydajności dla DDR4. Z drugiej strony, druga fabryka produkuje DDR5 z 17 nm, a jej miesięczna wydajność obecnie sięga 50 000 płytek, jak wynika z doniesień.

Pomimo tych ulepszeń, poziom produkcyjny chińskiej firmy jest daleko w tyle w stosunku do Samsunga i SK hynix. Jednak CXMT nadal stawia sobie ambitne cele w swojej mapie DRAM, ponieważ planuje rozszerzyć swoje możliwości produkcyjne DDR5 i HBM. Doniesienia wskazują, że chiński gigant DRAM ma dodać kolejne 50 000 płytek miesięcznie do Fab 2 w 2025 r., przy czym próbkowanie klientów dla HBM2 jest już w toku, a produkcja niskoseryjna ma się rozpocząć w połowie 2025 r.