Czy Samsung przygotuje 400-warstwowy NAND do 2026 roku?

HBM na fali AI stało się kluczowym polem bitwy dla gigantów pamięci, a chipy NAND z większą liczbą warstw, które są również idealne do dysków półprzewodnikowych (SSD) o dużej pojemności używanych w centrach danych AI, stały się bardzo pożądane. 

Według najnowszego raportu Korea Economic Daily Samsung zamierza wprowadzić na rynek 400-warstwowy NAND do 2026 r., aby zdobyć wiodącą pozycję na rozwijającym się rynku pamięci masowej napędzanej AI.

Według koreańskiego medium po obecnej masowej produkcji Samsunga 286-warstwowych chipów flash V9 NAND, dział Device Solutions firmy ma na celu produkcję NAND z co najmniej 400 warstwami ułożonymi w stos już w 2026 roku.  Główny rywal Samsunga, SK hynix, również opracowuje 400-warstwowe NAND, chcąc przygotować technologię do masowej produkcji do końca 2025 roku, zgodnie z wcześniejszymi raportami.

Obecny lider HBM podobno spodziewa się, że pełnowymiarowa produkcja 400-warstwowego NAND rozpocznie się w pierwszej połowie 2026 roku, co jest mniej więcej zgodne z harmonogramem Samsunga. Raport Korea Economic Daily zauważa, że ​​w konwencjonalnych chipach NAND komórki pamięci są ułożone w stos nad obwodami peryferyjnymi, które działają jak mózg chipa. Jednak układanie ponad 300 warstw często powodowało uszkodzenia urządzeń peryferyjnych.

W 2013 r. Samsung jako pierwszy w branży wprowadził układy V NAND z pionowo ułożonymi komórkami pamięci masowej w celu maksymalizacji pojemności, zauważa raport. Teraz, aby rozwiązać ten problem, Samsung podobno opracowuje zaawansowaną 10. generację V NAND (V10), w której zamierza wykorzystać innowacyjną technologię łączenia, w której komórki i obwody peryferyjne są produkowane oddzielnie na odrębnych płytkach przed ich połączeniem. Technologia ta, nazwana przez Samsunga łączeniem pionowej pamięci flash NAND lub BV NAND, jest również chwalona przez Samsunga jako „wymarzony NAND dla AI”, stwierdzając, że zwiększy gęstość bitów na jednostkę powierzchni o 1,6 raza, zgodnie z Korea Economic Daily. Oczekuje się, że ta metoda będzie obsługiwać „ultra-wysokie” stosy NAND, oferując znaczną pojemność pamięci masowej i wydajne rozpraszanie ciepła, co jest idealne dla dysków SSD używanych w centrach danych AI.

Samsung zdradza duże ambicje, ponieważ w długoterminowym planie działania dla pamięci NAND z większą liczbą warstw planuje rozwinąć swoją technologię układania w stosy, wprowadzając w 2027 r. pamięć V11 NAND, charakteryzującą się 50% wzrostem prędkości wprowadzania i wyprowadzania danych. Dyrektorzy cytowani w raporcie twierdzą, że gigant pamięci ma również zamiar opracować pamięć NAND z ponad 1000 warstwami do 2030 r.

Njnowsze badania TrendForce pokazują, że w II kwartale 2024 r. Samsung utrzymał pozycję światowego lidera na rynku pamięci NAND Flash z 36,9% udziałem w rynku, co stanowi wzrost o 0,2% w porównaniu z poprzednim kwartałem. Na kolejnym miejscu znalazła się SK Group z 22,1% udziałem, co stanowi spadek o 0,1%. Inni czołowi gracze to Kioxia (13,8%), Micron (11,8%) i Western Digital (10,5%).