Intel przetworzył już 30 000 wafli z wykorzystaniem maszyn High-NA EUV

Intel intensywnie rozwija technologię litografii ekstremalnie głębokiego ultrafioletu (High-NA EUV) i przetworzył już 30 000 wafli na nowych maszynach Twinscan EXE:5000 od ASML. To kluczowy krok w stronę miniaturyzacji układów scalonych, który może zdefiniować przyszłość produkcji chipów.

Podczas konferencji SPIE Advanced Lithography + Patterning Intel ujawnił, że od momentu instalacji dwóch maszyn ASML Twinscan EXE:5000 w fabryce D1 w Oregonie, firma przetworzyła na nich już 30 000 wafli. Te zaawansowane systemy, kosztujące około 350 milionów euro za sztukę, pozwalają na osiągnięcie rozdzielczości na poziomie 8 nm w pojedynczym naświetlaniu – znacząca poprawa względem stosowanych dotychczas systemów Low-NA EUV, które wymagają podwójnego naświetlania dla uzyskania takiej precyzji.

Przetwarzanie 30 000 wafli w warunkach badawczo-rozwojowych to istotne osiągnięcie, mimo że w porównaniu z przemysłową produkcją wciąż jest to stosunkowo niewielka liczba. Intel testuje nowe technologie w ramach przygotowań do masowej produkcji układów 14A (1,4 nm), która ma rozpocząć się za kilka lat.

Intel vs. TSMC – strategia pioniera kontra ostrożność

Intel jako pierwszy producent na świecie zainwestował w High-NA EUV, co daje mu unikalną możliwość współpracy z ASML przy dalszym udoskonalaniu tej technologii. Wdrożenie tej metody wymaga nowych materiałów, takich jak szkło do fotomasek czy pellicle, a także zmian w projektowaniu układów scalonych.

Nie wszyscy gracze branży półprzewodników przyjmują podobną strategię. Tajwański gigant TSMC podchodzi do High-NA EUV ostrożniej, uznając, że obecne rozwiązania Low-NA EUV nadal oferują konkurencyjne parametry przy odpowiedniej optymalizacji procesu.

Czy High-NA EUV zdecyduje o przyszłości Intela?

Mimo że ASML traktuje obecne modele Twinscan EXE:5000 jako systemy przedprodukcyjne, Intel już teraz deklaruje ich większą niezawodność w porównaniu z wcześniejszymi prototypami. Wysoka rozdzielczość i redukcja liczby ekspozycji mogą w dłuższej perspektywie obniżyć koszty produkcji, poprawić uzyski i skrócić czas wprowadzania nowych układów na rynek.

Ostateczny sukces High-NA EUV będzie zależał od zdolności Intela do skalowania tej technologii do poziomu produkcji masowej. Jeśli firma zdoła wykorzystać przewagę pierwszego gracza, może ponownie stać się liderem branży półprzewodników, wyprzedzając TSMC i Samsunga w wyścigu o najmniejsze tranzystory.