Intel wyprzedza TSMC w Arizonie dzięki Fab 52 i wdrożonemu tam procesowi 18A

Intel konsekwentnie wzmacnia swoją pozycję produkcyjną w Stanach Zjednoczonych. Według informacji cytowanych przez CNBC i Nikkei fabryka Fab 52 w Arizonie ma oferować moce porównywalne z dwiema fazami zakładu TSMC Fab 21, a jednocześnie korzystać z bardziej zaawansowanego procesu technologicznego 18A.

Fab 52 i skala produkcji w Arizonie

Z perspektywy amerykańskiej produkcji półprzewodników przewaga Intela pozostaje wyraźna. Fab 52, należąca do Intela, ma osiągać wydajność zbliżoną do łącznej mocy TSMC Fab 21 Phase 1 oraz Phase 2. W praktyce oznacza to zdolność do przetwarzania około 10 000 wafli tygodniowo, czyli blisko 40 000 WSPM (wafers starts per month) po pełnym rozruchu zakładu.

Dla porównania, pierwsza faza Fab 21 należąca do TSMC produkuje układy w procesach N4 i N5, a typowy moduł fabryczny TSMC projektowany jest na około 20 000 WSPM. Nawet po zakończeniu budowy drugiej fazy Fab 21, przystosowanej do produkcji 3 nm, Fab 52 ma pozostać co najmniej na równym poziomie, a według części źródeł nawet nieznacznie przed arizońskimi zakładami TSMC.

Technologia 18A jako klucz do przewagi

Istotnym elementem strategii Intela jest proces 18A, zaliczany do klasy 1,8 nm. Wykorzystuje on tranzystory typu gate all around RibbonFET oraz system zasilania PowerVia prowadzony od tylnej strony układu. To rozwiązania, które mają poprawić zarówno gęstość upakowania tranzystorów, jak i efektywność energetyczną chipów.

Na razie Fab 52 nie pracuje jeszcze z pełnym wykorzystaniem mocy. Intel zakłada, że uzyski produkcyjne procesu 18A osiągną poziom światowej klasy na początku 2027 roku. Do tego czasu produkcja procesorów w tej technologii pozostaje ograniczona, co oznacza częściowo niewykorzystaną infrastrukturę. Równolegle spółka przygotowuje kolejną inwestycję, Fab 62, która według CNBC ma być gotowa około 2028 roku.

EUV od ASML i wyścig zbrojeń technologicznych

Fab 52 wyróżnia się także zapleczem litograficznym. Zakład jest już wyposażony w cztery systemy EUV Twinscan NXE Low NA od ASML, w tym co najmniej jeden model NXE 3800E, najbardziej zaawansowane narzędzie tej klasy. Urządzenie to, korzystające z rozwiązań znanych z przyszłych systemów High NA, oferuje przepustowość sięgającą 220 wafli na godzinę.

Intel deklaruje, że docelowo Fab 52 ma posiadać co najmniej 15 systemów EUV, choć nie jest jasne, jaka część z nich będzie należeć do generacji High NA. Tymczasem TSMC przyspiesza własne plany w USA. Według Nikkei instalacja sprzętu w drugiej fazie Fab 21 ma ruszyć latem 2026 roku, co otworzy drogę do produkcji 3 nm w 2027 roku.