Micron prezentuje pamięć 1γ DRAM, zapewniającą większą wydajność i mniejsze zużycie energii

Micron wprowadza na rynek nową generację pamięci DRAM, zapewniającą większą wydajność i mniejsze zużycie energii. Technologia 1γ trafi do centrów danych, urządzeń mobilnych i rozwiązań AI.

Micron Technology, Inc. ogłosił wprowadzenie na rynek pierwszych próbek pamięci DRAM opartych na technologii 1γ (1-gamma). Nowe układy, zaprojektowane z myślą o nowoczesnych procesorach i systemach obliczeniowych, oferują znaczące ulepszenia w zakresie wydajności i efektywności energetycznej. Jest to kolejny krok w rozwoju technologii pamięci, który pozwoli na lepsze skalowanie obliczeń od centrów danych po urządzenia brzegowe i sztuczną inteligencję.

Przełomowa technologia Micron 1γ DRAM

Nowa generacja pamięci DRAM oparta na technologii 1γ jest kontynuacją wcześniejszych osiągnięć Microna w zakresie miniaturyzacji układów pamięci, w tym technologii 1α (1-alpha) i 1β (1-beta). W pierwszej kolejności technologia ta zostanie zastosowana w 16-Gb modułach DDR5, które osiągają prędkość do 9200 MT/s, oferując wzrost wydajności o 15% i redukcję zużycia energii o ponad 20% w porównaniu do poprzednich generacji.

Innowacyjność technologii 1γ wynika z zastosowania nowoczesnych rozwiązań, takich jak:

• Wykorzystanie technologii EUV (Extreme Ultraviolet Lithography) – umożliwia większą gęstość upakowania bitów, co przekłada się na ponad 30% wyższą wydajność w przeliczeniu na pojedynczy wafel krzemowy.
• Zaawansowana technologia CMOS – poprawia parametry tranzystorów, zwiększając ich szybkość i efektywność energetyczną.
• Optymalizacje projektowe i zmniejszenie rozmiaru struktur układu – prowadzą do obniżenia poboru mocy i lepszego zarządzania ciepłem.

Wprowadzenie technologii 1γ ma kluczowe znaczenie dla dalszego rozwoju sztucznej inteligencji, systemów obliczeniowych i urządzeń mobilnych. Micron podkreśla, że nowa generacja pamięci znajdzie zastosowanie w różnych segmentach rynku, w tym:

Centrach danych – moduły DDR5 oparte na 1γ pozwolą na lepszą optymalizację wydajności serwerów i redukcję kosztów energii.

• Edge AI – niższe zużycie energii i wyższa przepustowość zwiększą możliwości urządzeń wykorzystujących sztuczną inteligencję na brzegu sieci.
• Komputerach osobistych – moduły DDR5 SODIMM zmniejszą pobór energii o 20%, wydłużając czas pracy na baterii i zwiększając komfort użytkowania laptopów.
• Urządzeniach mobilnych – pamięć LPDDR5X z 1γ zapewni wysoką wydajność i lepszą efektywność energetyczną dla smartfonów i innych mobilnych systemów obliczeniowych.
• Motoryzacji – moduły LPDDR5X osiągną prędkości do 9600 MT/s, umożliwiając obsługę zaawansowanych systemów autonomicznych i infotainment.

„Nasza strategia w zakresie rozwoju DRAM, w połączeniu z innowacjami w litografii EUV, umożliwiła stworzenie zaawansowanej gamy produktów opartych na 1γ, które odegrają kluczową rolę w ekosystemie AI” – powiedział Scott DeBoer, wiceprezes wykonawczy ds. technologii i produktów w Micron.

„Micron po raz kolejny przewodzi branży, dostarczając pamięć DRAM o niezrównanej efektywności energetycznej i wydajności. Nasza technologia 1γ pomoże naszym klientom nadążyć za dynamicznie rosnącymi wymaganiami rynku AI” – dodał Sumit Sadana, dyrektor ds. biznesowych w Micron.