Pamięć RAM LPDDR5X firmy SK hynix wykorzystuje proces High-K Metal Gate, który zmniejsza pobór mocy o 25% przy jednoczesnym zwiększeniu prędkości do 8.5Gbps

SK hynix zapowiedział ostatnio bardziej energooszczędną wersję LPDDR5X RAM przeznaczoną dla różnych aplikacji i produktów, a wyczyn ten został osiągnięty dzięki procesowi o nazwie HKMG (High-K Metal Gate). Dzięki zwiększonej przepustowości i obniżonemu zużyciu energii, nowe układy pamięci będą idealne podczas pracy w komputerach przenośnych i smartfonach.

Mówiąc więcej o HKMG, SK hynix twierdzi, że wykorzystuje materiał o wysokiej stałej dielektrycznej w warstwie izolacyjnej wewnątrz tranzystorów DRAM. Metoda ta zmniejsza upływ prądu i poprawia pojemność, co ostatecznie zwiększa prędkość przy jednoczesnym obniżeniu poboru mocy. Dlatego też producent podaje, że udało mu się osiągnąć najwyższy w branży wskaźnik wydajności, dzięki zmniejszeniu poboru mocy o 25 procent. Dla porównania, pamięć RAM LPDDR5X firmy Samsung zmniejszyła zużycie energii o 20 procent, zapewniając jednocześnie taką samą prędkość 8,5 Gbps.

Planowanie nowego produktu zwykle zaczyna się z kilkuletnim wyprzedzeniem. Podczas planowania LPDDR5X nie było łatwo sprostać specyfikacji 8,5Gbps. Różne działy wewnętrzne miały różne opinie na temat tego, jak spełnić tę specyfikację, ale mieliśmy zaufanie do naszych możliwości i z powodzeniem zakończyliśmy rozwój najszybszego w branży LPDDR5X na czas.

Nowa pamięć RAM LPDDR5X działa również w ultra niskim zakresie napięcia od 1,01 do 1,12V ustalonym przez JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council), co wyjaśnia zmniejszony pobór mocy nowych układów pamięci. Jeśli chodzi o wspomniane prędkości, SK hynix twierdzi, że są one o 33 procent szybsze od standardu LPDDR5 poprzedniej generacji, dorównując własnej wersji LPDDR5X firmy Samsung.

SK hynix nie podał, z jakimi klientami zawarł umowę na dostawę swoich układów pamięci nowej generacji, ale mamy przeczucie, że producent wydajnych laptopów z jabłkiem w logo byłby bardzo mocno zainteresowany, tego typu pamięcią, ze względu na jej energooszczędność.