Rząd USA rozważa rozszerzenie chińskich sankcji na układy scalone o HBM i technologię gate-all-around

Administracja Bidena podobno rozważa dalsze ograniczenia dostępu Chin do technologii chipów sztucznej inteligencji, ukierunkowane na technologię tranzystorów typu gate-all-around (GAA).

Według raportu Bloomberga, zakres nowych regulacji jest wciąż ustalany, a urzędnicy wciąż nie podjęli ostatecznych decyzji dotyczących technologii, na które będą miały wpływ i kiedy nowe sankcje mogłyby wejść w życie.

Japoński rząd ogłosił plany rozszerzenia ograniczeń eksportowych na technologie obejmujące tranzystory GAA w kwietniu 2024 roku.

Technologia Gate-all-around poprawia gęstość chipów, zapewniając jednocześnie korzyści w zakresie mocy i wydajności. Według Samsung Electronics, który zbudował swoje 3 nm chipy w tej technologii, zapewniła ona nawet 45-procentową redukcję powierzchni, zapewniając jednocześnie o 30 procent wyższą wydajność i o 50 procent niższe zużycie energii w porównaniu z 3-nanometrowym procesem odlewniczym TSMC.

Intel planuje wdrożyć tę technologię w swoich węzłach procesowych 20A i kolejnych, wykorzystując nową architekturę tranzystorów GAA o nazwie RibbonFET. TSMC również planuje wykorzystać GAA w swoim procesie produkcyjnym A16.

Bloomberg podał, że przedstawiciele branży skrytykowali pierwotny projekt przepisów dotyczących sankcji GAA za to, że był „zbyt szeroki”, ponieważ nie było jasne, czy przepisy miały na celu powstrzymanie Chin przed dostępem do narzędzi niezbędnych do samodzielnego opracowania technologii, czy też zakazanie firmom sprzedaży swoich chipów chińskim firmom.

Powołując się na osoby posiadające wiedzę na temat dyskusji, Bloomberg powiedział, że przepisy prawdopodobnie będą skłaniać się ku temu pierwszemu.

Rząd USA rozważa również ograniczenie eksportu układów pamięci o wysokiej przepustowości (HBM) do Chin. Chipy HBM są kluczowym komponentem w chipach sztucznej inteligencji, ponieważ zapewniają szybsze przetwarzanie i mniejsze zużycie energii w porównaniu z tradycyjnymi układami pamięci.

W kwietniu rosnący popyt na układy pamięci przyczynił się do 933-procentowego wzrostu zysku operacyjnego Samsung Electronics, przy czym firma stwierdziła, że znacznie skorzystała na wzroście cen układów pamięci DRAM i NAND flash w wyniku utrzymującego się popytu na generatywną sztuczną inteligencję.