Samsung planuje duży skok pojemności dysków SSD – masowa produkcja pamięci V-NAND 9. generacji rozpocznie się jeszcze w tym miesiącu

Samsung Electronics rozpocznie masową produkcję pamięci V-NAND 9. generacji jeszcze w tym miesiącu. Jak donosi Hankyung, nowa generacja pamięci 3D NAND firmy Samsung będzie składać się z 290 aktywnych warstw, co nie jest znaczącym wzrostem w porównaniu do 236 warstw, ale niesie ze sobą istotną zmianę w sposobie produkcji.

Raport o 290-warstwowych pamięciach V-NAND 9. generacji jest sprzeczny z oficjalnymi planami Samsunga dotyczącymi wprowadzenia pamięci 3D NAND z ponad 300 warstwami w 2024 roku, więc nowe informacje należy traktować z przymrużeniem oka.

Tymczasem możliwe jest, że Samsung zdecydował się zmniejszyć liczbę aktywnych warstw w swoich pamięciach V-NAND, aby zwiększyć wydajność. Zwiększenie wydajności kosztem gęstości powierzchniowej może być dobrym sposobem dla Samsunga na obniżenie kosztów niektórych z jego dysków.

Według raportu, kluczową cechą 9. generacji pamięci V-NAND firmy Samsung z 290 aktywnymi warstwami jest technika produkcji typu string stacking. Procesy produkcyjne wykorzystujące technikę string stacking polegają na budowaniu warstwy CMOS z układami logicznymi, następnie 145-warstwowej macierzy pamięci 3D NAND na wierzchu, a następnie kolejnej 145-warstwowej pamięci flash 3D NAND powyżej. Chociaż ta technika produkcji jest złożona, ma ona szansę zwiększyć wydajność produktów pamięci 3D NAND z setkami warstw, ponieważ łatwiej jest zbudować dwie 145-warstwowe macierze 3D NAND niż jedną 290-warstwową macierz 3D NAND.

Patrząc w przyszłość, Samsung ma agresywne plany utrzymania swojej pozycji na rynku pamięci flash 3D NAND poprzez wprowadzenie urządzeń 3D NAND z jeszcze większą liczbą warstw. Po wprowadzeniu na rynek 290-warstwowej pamięci V9, firma zamierza wypuścić 430-warstwową pamięć V-NAND 10. generacji w drugiej połowie 2025 roku, czytamy w zeszłorocznym raporcie Blocks and Files.

Tymczasem inni gracze z branży nie pozostają daleko w tyle. SK hynix przygotowuje się do produkcji 321-warstwowych pamięci NAND na początku przyszłego roku, podczas gdy YMTC w Chinach planuje wytwarzać 300-warstwowe produkty do drugiej połowy 2024 roku.

„Stoimy w przededniu, jeśli nie rewolucji, to na pewno poważnej ewolucji efektywności w wielu firmach” – zaznaczył Dariusz Piotrowski, dyrektor zarządzający Dell Technologies Polska, podczas Microsoft Channel Connect 2024