Samsung przymierza się do wyprodukowania pamięci NAND z ponad 1000 warstwami

Podczas Dnia Technologii 2022 Samsung ujawnił cel, jakim jest wypuszczenie do 2030 r. zaawansowanych chipów NAND składających się z ponad 1000 warstw. 

Eksperymentalna demonstracja i modelowanie warstwy 1K, których interakcja między wychwytywaniem ładunku w metalowym paśmie a efektem przełączania ferroelektrycznego może zmaksymalizować „dodatnie sprzężenie zwrotne” podwójnych efektów, umożliwić niskie napięcie robocze, szeroki zakres okna przechowywania i znikome zakłócenia przy napięcie polaryzacji 9 V.

Choć Samsung nie jest bezpośrednio zaangażowany w proces badawczo-rozwojowy, według Wccftech badacze są bezpośrednio powiązani z firmą. Wiadomość ta pojawia się po oficjalnym ogłoszeniu przez firmę Samsung w kwietniu, potwierdzającym, że rozpoczął masową produkcję swojej pionowej pamięci NAND (V-NAND) dziewiątej generacji o pojemności jednego terabita (Tb) i potrójnego poziomu (TLC), która mogła pochwalić się poprawą gęstości bitowej.

Jak wynika z raportu The Korea Economic Daily, jest to o 50% mniej niż w przypadku pamięci V-NAND ósmej generacji, przy liczbie warstw sięgającej 290. Źródła branżowe cytowane w raporcie ujawniły również, że oczekuje się, że przyszła pamięć V-NAND dziesiątej generacji Samsunga będzie liczyć 430 warstw, a jej premiera zaplanowana jest na przyszły rok.

Teraz NAND może pomieścić 1000 warstw, jeśli nowe materiały ferroelektryczne będą dobrze działać.

Przed Samsungiem główni giganci pamięci masowej, tacy jak Micron i SK Hynix, przekroczyli już kamień milowy 200 warstw. Micron ma na koncie 232 warstwy przy gęstości przechowywania 19,5 Gb na milimetr kwadratowy, natomiast SK Hynix pomieścił 238 warstw przy gęstości przechowywania 14,4 Gb na milimetr kwadratowy. Na początku maja południowokoreański portal TheElec ujawnił również, że SK Hynix bada potencjał wytwarzania pamięci 3D NAND w ultraniskich temperaturach, co może umożliwić firmie wytworzenie produktu nowej generacji składającego się z ponad 400 warstw przy pomocy technologii Tokio Elektron (TEL).