Samsung rusza z masową produkcją nowoczesnej pamięci V9 QLC NAND

Samsung ogłosił rozpoczęcie masowej produkcji swojej nowoczesnej, dziewiątej generacji pamięci flash QLC, zaledwie kilka miesięcy po premierze wariantu TLC V9 w kwietniu tego roku. Najnowsze modele V9 QLC charakteryzują się wysoką pojemnością, a pierwsze produkowane egzemplarze mają pojemność jednego terabajta.

Kluczowym atutem nowej pamięci V9 QLC jest zastosowanie technologii Channel Hole Etching, która umożliwia osiągnięcie rekordowej liczby warstw w branży, opierając się na konstrukcji podwójnego stosu. Dzięki doświadczeniom zdobytym przy rozwoju pamięci TLC 9. generacji, Samsungowi udało się zwiększyć gęstość nowego V9 QLC o około 86% w porównaniu do poprzedniej generacji. Zastosowane innowacje, takie jak technologia Designed Mold oraz Predictive Program, poprawiły trwałość danych o 20%, a prędkość operacji odczytu i zapisu o 60%.

Również zużycie energii uległo znacznemu zmniejszeniu dzięki technologii Low-Power Design, która zmniejsza napięcie sterujące komórkami NAND poprzez selektywne zasilanie tylko niezbędnych linii bitowych. To rozwiązanie pozwala na redukcję zużycia energii o 30% przy odczycie danych i o 50% przy ich zapisie.

Samsung planuje zastosować swoją nową pamięć V9 QLC w szerokiej gamie produktów, od popularnych dysków SSD po pamięci UFS w smartfonach. Dodatkowo, firma przewiduje, że nowa technologia znajdzie zastosowanie także w serwerach, oferując rozsądnie wycenioną pamięć SSD o dużej pojemności dla dostawców usług chmurowych.

Dzięki tym ulepszeniom, Samsung będzie mógł oferować dyski SSD prawie o połowę tańsze niż obecne modele o najwyższych pojemnościach, zachowując jednocześnie zauważalnie lepszą wydajność.