Samsung stworzy superkomputer i zapowiada że w 5 lat wyprzedzi TSMC – ujawniono pięcioletni plan firmy dotyczący rozwoju superkomputerów
Wiceprezes Samsung Electronics Kyung Kye-hyun, który nadzoruje biznes chipowy giganta technologicznego, ujawnił pięcioletni plan firmy dotyczący rozwoju superkomputerów skoncentrowanych na układach pamięci i dogonienia tajwańskiego rywala TSMC.
Kyung odwiedził w czwartek Korea Advanced Institute of Science and Technology w Daejeon, w prowincji South Chungcheong, aby wygłosić specjalny wykład dla młodych talentów. Był to pierwszy raz, kiedy Kyung wygłosił wykład dla studentów od czasu objęcia stanowiska co-CEO w grudniu 2021 roku.
Podczas wykładu co-CEO podkreślił, że celem największego na świecie producenta układów pamięci jest stworzenie technologii, która nie istnieje na świecie. Podzielił się również wizją Samsunga dotyczącą budowy superkomputerów.
„Samsung Advanced Institute of Technology próbuje zbudować superkomputer skoncentrowany na pamięci do 2028 roku, ale w kraju nie ma nikogo, kto zaprojektowałby … (tak) potężne urządzenia obliczeniowe” – powiedział szef chipów.
Wybierając superkomputery jako jeden z celów przyszłego wzrostu dla chipów, gigant technologiczny zaczął zwiększać swoje inwestycje w badania i rozwój. Jednak po raz pierwszy firma oficjalnie wskazała na docelowy rok uruchomienia swoich superkomputerów.
Samsung postawił sobie również za cel prześcignięcie TSMC, najlepszego na świecie operatora foundry, w ciągu pięciu lat, przyznając jednocześnie, że technologia foundry południowokoreańskiego giganta technologicznego „pozostaje w tyle za TSMC” – około dwóch lat za technologią procesu 4-nanometrowego i rok za technologią procesu 3-nanometrowego.
Kyung jest pozytywnie nastawiony do celu, ponieważ najnowsze 3 nanometrowe układy Samsunga są od czerwca ubiegłego roku budowane z wykorzystaniem technologii Gate-All-Around (GAA). Pozwala ona na zmniejszenie powierzchni o 45 procent, zapewniając jednocześnie o 30 procent wyższą wydajność i o 50 procent niższe zużycie energii, w porównaniu z dotychczasowym procesem FinFET, który był stosowany w 3 nanometrowym procesie odlewniczym TSMC.
TSMC nie użyje GAA zanim nie osiągnie 2 nanometrowej produkcji, a Samsung wierzy, że pozwoli to firmie dogonić tajwańskiego rywala.
„Podczas gdy wymagane jest zatwierdzenie inwestycji w naszych chińskich zakładach w Xian, nie było znaczącej presji na naszą ogólną działalność. (…) Będziemy dążyć do przekształcenia kryzysu w szansę”. – powiedział Kyung Kye-hyun, wiceprezes Samsung Electronics, zapytany o wpływ rywalizacji USA-Chiny na Samsunga.