SK Hynix chce rozpocząć masową produkcję HBM4E w 2026 roku
Firma SK Hynix zaktualizowała harmonogram dotyczący HBM4E, czyli wysokoprzepustowej pamięci siódmej generacji.
Na początku lutego Chun-hwan Kim, wiceprezes SK Hynix, oświadczył, że firma planuje rozpocząć produkcję na dużą skalę HBM4, szóstej generacji rodziny HBM, również w 2026 roku.
Na początku kwietnia firma SK Hynix ogłosiła, że podpisała protokół ustaleń z TSMC w sprawie współpracy przy produkcji HBM nowej generacji oraz udoskonalaniu logiki i integracji HBM poprzez zaawansowaną technologię pakowania. W ramach tej inicjatywy firma planuje kontynuować prace nad HBM4, czyli szóstą generacją rodziny HBM, która ma być produkowana masowo od 2026 roku.
Według raportów Wccftech i TheElec, dwuletnia przerwa między zmianami generacji pamięci masowej w wadze ciężkiej została skrócona do jednego i obecnie jest na dobrej drodze do wypuszczenia HBM4E do 2026 roku. Wiadomość tę ujawnił Kim Gwi-wook, szef zaawansowanej technologii HBM w SK Hynix, podczas Międzynarodowego Tygodnia Pamięci 2024, który odbył się w Seulu.
Według TheElec HBM4E będzie pierwszym chipem firmy SK Hynix wykonanym w 10-nanometrowej technologii DRAM Gen 6 (1c). Podobno ma być wykonany z 32 GB pamięci DRAM i wykorzystywać 1c DRAM jako rdzeń. Według Wccftech przepustowość funkcji HBM4E jest 1,4 razy większa niż w przypadku jego poprzednika, HBM4. Wskazuje to na znaczną poprawę efektywności energetycznej i daje przedsmak postępów, jakich możemy się spodziewać w akceleratorach AI nowej generacji.
Samsung, główny konkurent SK Hynix w dziedzinie pamięci, również planuje rozpocząć masową produkcję HBM4 w 2026 roku.