Dostosuj preferencje dotyczące zgody

Używamy plików cookie, aby pomóc użytkownikom w sprawnej nawigacji i wykonywaniu określonych funkcji. Szczegółowe informacje na temat wszystkich plików cookie odpowiadających poszczególnym kategoriom zgody znajdują się poniżej.

Pliki cookie sklasyfikowane jako „niezbędne” są przechowywane w przeglądarce użytkownika, ponieważ są niezbędne do włączenia podstawowych funkcji witryny.... 

Zawsze aktywne

Niezbędne pliki cookie mają kluczowe znaczenie dla podstawowych funkcji witryny i witryna nie będzie działać w zamierzony sposób bez nich.Te pliki cookie nie przechowują żadnych danych umożliwiających identyfikację osoby.

Brak plików cookie do wyświetlenia.

Funkcjonalne pliki cookie pomagają wykonywać pewne funkcje, takie jak udostępnianie zawartości witryny na platformach mediów społecznościowych, zbieranie informacji zwrotnych i inne funkcje stron trzecich.

Brak plików cookie do wyświetlenia.

Analityczne pliki cookie służą do zrozumienia, w jaki sposób użytkownicy wchodzą w interakcję z witryną. Te pliki cookie pomagają dostarczać informacje o metrykach liczby odwiedzających, współczynniku odrzuceń, źródle ruchu itp.

Brak plików cookie do wyświetlenia.

Wydajnościowe pliki cookie służą do zrozumienia i analizy kluczowych wskaźników wydajności witryny, co pomaga zapewnić lepsze wrażenia użytkownika dla odwiedzających.

Brak plików cookie do wyświetlenia.

Reklamowe pliki cookie służą do dostarczania użytkownikom spersonalizowanych reklam w oparciu o strony, które odwiedzili wcześniej, oraz do analizowania skuteczności kampanii reklamowej.

Brak plików cookie do wyświetlenia.

SK hynix dostarczy próbki HBM3E 16-High na początku 2025 roku

Południowokoreański gigant pamięci SK hynix zaprezentował na szczycie SK AI w Seulu pierwszą w branży pamięć HBM3E 16-High o pojemności 48 GB, co jest największą liczbą warstw na świecie, zaraz po produkcie 12-High, zgodnie z komunikatem prasowym. 

Według dyrektora generalnego SK hynix, Kwaka Noh-Junga, chociaż rynek pamięci HBM 16-High ma się otworzyć od generacji HBM4, SK hynix rozwija pamięć HBM3E 16-High o pojemności 48 GB w celu zapewnienia stabilności technologicznej i planuje dostarczyć próbki klientom na początku przyszłego roku, zauważono w komunikacie prasowym.

Pod koniec września SK hynix ogłosiło, że rozpoczęło masową produkcję pierwszego na świecie produktu HBM3E 12-warstwowego o pojemności 36 GB. Z drugiej strony, oczekuje się, że SK hynix zastosuje proces Advanced MR-MUF, który umożliwił masową produkcję produktów 12-high, aby wyprodukować 16-high HBM3E, jednocześnie rozwijając technologię hybrydowego łączenia jako kopię zapasową, wyjaśnił Kwak.

Według CEO, produkty 16-high firmy SK hynix zapewniają poprawę wydajności o 18% w szkoleniu oraz 32% w wnioskowaniu w porównaniu z produktami 12-high. Dyrektor generalny w trakcie przemowy przedstawił również wizję firmy, która chce stać się „dostawcą pamięci AI Full Stack” lub dostawcą z pełną gamą produktów pamięci AI zarówno w przestrzeniach DRAM, jak i NAND. Ten cel ma osiągnąć poprzez ścisłą współpracę z zainteresowanymi stronami, jak podano w komunikacie prasowym.

Poprzednia oficjalna informacja z kwietnia podała, że SK hynix podpisało memorandum o porozumieniu z TSMC w sprawie współpracy, by wyprodukować HBM nowej generacji i ulepszenia integracji logiki i HBM poprzez zaawansowaną technologię pakowania. Firma planuje kontynuować rozwój HBM4, czyli szóstej generacji rodziny HBM, która ma być masowo produkowana od 2026 roku.

Aby jeszcze bardziej rozszerzyć plan działania giganta pamięci, opracowuje on moduł LPCAMM2 dla komputerów PC i centrów danych, LPDDR5 i LPDDR6, w pełni wykorzystując swoją konkurencyjność w produktach o niskim poborze mocy i wysokiej wydajności, dodano w komunikacie prasowym.

Firma przygotowuje dysk SSD PCIe 6. generacji, dysk eSSD o dużej pojemności oparty na QLC i UFS 5.0. Ponieważ zasilanie systemu AI wymaga gwałtownego zwiększenia pojemności pamięci zainstalowanej na serwerach, firma SK hynix ujawniła w komunikacie prasowym, że przygotowuje CXL Fabrics, które zapewniają dużą pojemność poprzez połączenie różnych pamięci, jednocześnie rozwijając eSSD o ultrawysokiej pojemności, aby umożliwić więcej danych w mniejszej przestrzeni przy niskim poborze mocy.