SK hynix opracowuje najszybszą na świecie serwerową pamięć DRAM

Południowokoreański producent układów scalonych SK hynix ogłosił w czwartek, że opracował najszybszy na świecie moduł pamięci serwerowej.

Nowy produkt, DDR5 Multiplexer Combined Ranks Dual In-line Memory Module, może pochwalić się prędkością transferu danych wynoszącą minimum 8 gigabitów na sekundę, czyli prawie 80 procent szybciej niż 4,8 gigabita w obecnych układach DDR5.

Opracowany we współpracy z takimi globalnymi gigantami chipowymi jak Intel i Renesas, SK hynix podkreślił, że ich inżynierowie musieli myśleć “out of the box”, aby skupić się na poprawie prędkości modułów, zamiast samego chipu DRAM.

Według SK hynix, nowy produkt został zaprojektowany do obsługi dwóch kanałów przesyłowych jednocześnie poprzez wykorzystanie bufora danych zainstalowanego na MCR DIMM, opartego na technologii MCR Intela. Dzięki temu MCR DIMM jest w stanie przesłać do procesora 128 bajtów danych jednocześnie, co stanowi skok w stosunku do 64 bajtów pobieranych zazwyczaj w konwencjonalnym module DRAM. Wzrost ilości danych wysyłanych do CPU powoduje z kolei wzrost szybkości transferu danych pojedynczej pamięci DRAM. SK hynix dąży do wprowadzenia produktu DDR5 do masowej produkcji w przyszłości, mając na celu przewodzenie przejściu do standardu układów pamięci następnej generacji na rynku, na którym w dużej mierze dominuje standard DDR4.

SK hynix dąży do wprowadzenia produktów DDR5 do masowej produkcji w przyszłości, celem umożliwienia przejścia na standard układów pamięci nowej generacji na rynku, na którym dominuje standard DDR4. SK hynix oczekuje, że rynek MCR DIMM będzie się rozwijał, napędzany przez wysokowydajne obliczenia, które wykorzystają zwiększoną przepustowość pamięci. Przewiduje się, że produkty pamięciowe w standardzie DDR5 zajmą w przyszłym roku 20-procentowy udział w rynku DRAM, a do 2025 roku – 40 procent.