SK hynix rozpoczął produkcję pierwszej na świecie pamięci NAND Flash 321-Layer na dużą skalę

Południowokoreański gigant pamięci SK hynix ogłosił, że rozpoczął masową produkcję pierwszej na świecie pamięci NAND Flash 321-high 4D o pojemności 1 TB opartej na trzech poziomach komórek. 

Firma planuje dostarczać klientom produkty 321-high począwszy od pierwszej połowy przyszłego roku, zgodnie z komunikatem prasowym. Ten nowy produkt stanowi znaczną poprawę w stosunku do poprzedniej generacji. Zgodnie z komunikatem prasowym oferuje on 12% wzrost prędkości transferu danych i 13% wzrost wydajności odczytu, jednocześnie zwiększając wydajność odczytu danych o ponad 10%.

Dzięki przyjęciu tej samej platformy programistycznej, która była używana w przypadku pamięci NAND 238-high, SK hynix zwiększyło wydajność o 59% w porównaniu z poprzednią generacją, minimalizując wpływ zmiany procesu. Przełom technologiczny stojący za tą innowacją leży w technologii procesu „three plugs” firmy. Proces ten łączy elektrycznie trzy wtyczki poprzez zoptymalizowany proces następczy po trzykrotnym zakończeniu procesów wtyczek. W tym procesie firma opracowała materiał o niskim naprężeniu i wprowadziła technologię, która automatycznie koryguje niedopasowanie wtyczek, jak zauważono w komunikacie prasowym. Zgodnie z komunikatem prasowym, to przełomowe osiągnięcie pozwoliło firmie SK hynix na pomyślne ułożenie ponad 300 warstw, co czyni ją pierwszą firmą w branży, która osiągnęła ten wynik.

SK hynix zamierza rozszerzyć zastosowanie swoich produktów o 321-wysokości, aby sprostać wymaganiom powstających technologii AI. Jak zauważono w komunikacie prasowym, firma planuje stale dostarczać te produkty do powstających aplikacji AI, które wymagają niskiego poboru mocy i wysokiej wydajności.

Szef rozwoju NAND w SK hynix, Jungdal Choi, podkreślił znaczenie tego osiągnięcia. Zgodnie z komunikatem prasowym, Choi stwierdził, że ten rozwój przybliża firmę SK hynix do stania się liderem na rynku pamięci masowej AI i realizacji celu, jakim jest zostanie dostawcą pamięci Full Stack AI. Firma zamierza to osiągnąć poprzez zbudowanie kompleksowego portfolio w obszarze ultrawydajnej pamięci NAND, uzupełniając swoją działalność DRAM prowadzoną przez HBM.

SK hynix ma ugruntowaną pozycję lidera technologicznego na rynku pamięci NAND. W komunikacie prasowym przypomniano, że firma jako pierwsza w branży wprowadziła w czerwcu ubiegłego roku najwyższą na świecie pamięć NAND z 238 warstwami. Teraz, dzięki pamięci NAND 4D o 321 warstwach, firma SK hynix umocniła swoją pozycję pierwszego dostawcy produkującego pamięć NAND z ponad 300 warstwami, co stanowi kolejny ważny kamień milowy w branży.