Wyciekły wyniki wydajności nadchodzącego, flagowego układu SoC Qualcomm Snapdragon 895. Mogłoby być lepiej…

Następca Snapdragona 888, obecnie znany jako SM8450, pojawiał się już w przeciekach, ale dotychczas niezbyt szczegółowych. Nowe infotmacje dostarczone przez leakstera FrontTron, zawierają wyniki Geekbench i część specyfikacji. 

SM8450, który ma być oficjalnie znany jako Snapdragon 895, integruje jeden „duży” rdzeń Kryo 780 oparty na ARM Cortex-X2, trzy „środkowe” rdzenie Kryo 780 oparte na ARM Cortex -A710 i cztery „małe” rdzenie Kryo 780 oparte na ARM Cortex-A510. „Małe rdzenie” maja być przy tym podzielone na dwie grupy, więc dwa z nich mogą uzyskać wyższe częstotliwości od pozostałej dwójki.

Pod względem wydajności Snapdragon 895 wydaje się być prawie tak szybki jak Apple A14 Bionic w testach wielowątkowych (4000 vs 4027 punktów w Geekbench), ale wciąż jest znacznie w tyle w testach jednordzeniowych (1250 vs 1596 punktów).

Jeśli wierzyć przeciekowi, nowy SoC obsługuje szybkie ładowanie 100 W, a procesor graficzny Adreno 730 nie jest tak szybki, jak GPU graficzny RDNA2 dołączony do układu Samsung Exynos 2200, który zostanie wprowadzony na rynek zapewne jeszcze w tym miesiącu podczas Galaxy Unpacked. Najprawdopodobniej jest to jednak wczesna wersja Snapdragona 895. Producenci smartfonów najprawdopodobniej przesuną możliwości układu nieco dalej, dzięki niestandardowym rozwiązaniom chłodzącym. Mimo to oczekuje się, że Apple wypuści A15 Bionic jeszcze w tym roku, a różnica w wydajności może zostać ponownie poszerzona na rzecz układu z Cupertino.

Należący do Huawei, HiSilicon podpisał umowę z Shenzhen JT Automation Equipment – firmą, która zajmuje się optoelektroniką. Ten ruch potwierdza wolę wybudowania własnych fabryk półprzewodników.