Micron ogłosił plany budowy nowej fabryki pamięci w USA – czyli Chip Act w praktyce.

Pierwsze efekty zachęcającego do inwestycji, zatwierdzonego przez Izbę Reprezentantów USA, tzw. Chip Act już są widoczne. Micron, jeden z czołowych producentów pamięci na świecie poinformował, że planuje wybudować w USA kolejną fabrykę. 

Micron ogłosił, że „wprowadzi do Stanów Zjednoczonych wiodącą technologię produkcji pamięci”. Ten ruch ze strony producenta nie jest specjalnym zaskoczeniem. Na początku lipca CEO firmy, Sanjay Mehrotra, zakomunikował zamiar dokonania tej inwestycji, podkreślając, że decyzja Microna będzie zależeć od uchwalenia Chips and Science Act. W czwartkowym głosowaniu Senat USA uchwalił ustawę ustanawiającą fundusz o wartości 76 miliardów dolarów mający wspierać produkcję i projektowanie chipów w USA. Przepisy czekają na podpis prezydenta.

W komunikacie prasowym na temat nowych planów produkcyjnych w USA, firma Micron podziękowała władzom za uchwalenie przepisów dotyczących finansowania i zgodziła się ze zwolennikami ustawy, że jest to ważna inicjatywa mająca na celu zapewnienie prosperowania zaawansowanej produkcji półprzewodników w USA w nadchodzących latach.

„Te przepisy przyniosą do USA najnowocześniejszą produkcję półprzewodników, tworząc dziesiątki tysięcy miejsc pracy i dziesiątki miliardów dolarów nowych inwestycji” – zaopiniował nowe prawo Micron w komunikacie prasowym. Trzeba oczywiście pamiętać, że jedynie część z tych miejsc pracy i inwestycji będzie związana z firmą Micron. Prawdopodobnie najwięcej z „dotacyjnego tortu” przypadnie Intelowi.

Firma twierdzi, że tylko 2% globalnej podaży pamięci pochodzi obecnie od amerykańskich producentów półprzewodników wytwarzających pamięci w USA. Te 2%, w całości, jest zresztą udziałem Microna. Firma zapowiedziała, że dzięki jej inwestycji liczby to zmienią się bardzo mocno. Niestety, nie podano żadnych konkretnych celów inwestycyjnych ani lokalizacji przyszłej fabryki. Firma zapowiedziała, że ​​podzieli się planami „w nadchodzących tygodniach”.

Micron jako pierwszy prezentuje 232-warstwową pamięć NAND Flash o pojemności modułu 2TB