Przyszłość AI według Samsunga: mapa drogowa pamięci nowej generacji

Podczas tegorocznej konferencji Future of Memory and Storage w Kalifornii, Samsung przedstawił wizję rozwoju technologii pamięciowych dostosowanych do potrzeb sztucznej inteligencji. Kluczowymi punktami prezentacji były zapowiedzi układów zHBM oraz nowej generacji pamięci V10 BV-NAND, oferującej rekordową gęstość zapisu dzięki pionowej strukturze posiadającej ponad 400 warstw.

Przełomowa gęstość zapisu dzięki V10 BV-NAND

Nowa generacja pamięci flash, oznaczona jako V10 BV-NAND, wykorzystuje zaawansowaną metodę łączenia wafli krzemowych (wafer bonding), co pozwala na osiągnięcie niespotykanej dotąd wydajności. Dzięki zastosowaniu ponad 400 warstw, producent zdołał zwiększyć gęstość przechowywania danych o około 58 procent w porównaniu do wcześniejszej generacji V9. Rozwiązanie to opiera się na oddzielnym wytwarzaniu matrycy komórek pamięci oraz obwodów peryferyjnych, które następnie są trwale i precyzyjnie scalane w jeden układ. Takie podejście poprawia parametry odczytu oraz zapisu, a jednocześnie znacząco redukuje zapotrzebowanie na energię w serwerach obsługujących złożone operacje obliczeniowe.

Architektura zHBM czyli pamięć bezpośrednio nad procesorem

Samsung zaprezentował także koncepcyjny model zHBM, który ma całkowicie zmienić sposób komunikacji między procesorem a zasobami danych. W przeciwieństwie do obecnych konstrukcji, gdzie moduły HBM znajdują się obok akceleratora, nowa koncepcja zakłada ich pionowe umieszczenie bezpośrednio nad układem obliczeniowym. Ta zmiana architektury drastycznie skraca drogę, jaką muszą pokonać sygnały, co przekłada się na nawet ośmiokrotny wzrost wydajności w stosunku do nadchodzącego standardu HBM5. Przewiduje się, że technologia ta pozwoli na dziesięciokrotne zwiększenie gęstości upakowania przy jednoczesnym trzykrotnym wzroście efektywności energetycznej i znacznej redukcji oporności cieplnej.

Kompleksowe rozwiązania dla systemów obliczeniowych

Poza innowacjami w sferze sprzętowej, firma promuje model dostarczania gotowych systemów (one-stop turnkey), obejmujący projektowanie, produkcję oraz zaawansowane pakowanie układów. W ofercie znajdą się również moduły zNAND-O przeznaczone dla urządzeń brzegowych oraz pamięci LPDDR5X-PIM, które wykonują operacje logiczne bezpośrednio wewnątrz struktur pamięciowych, co ogranicza konieczność przesyłania danych. Przedstawiciele producenta podkreślają, że integracja tych technologii jest niezbędna, aby sprostać rosnącym wymaganiom nowoczesnych centrów danych. Nowe rozwiązania mają na celu skrócenie czasu potrzebnego na opracowanie gotowych produktów i szybsze dostarczenie na rynek wyspecjalizowanych akceleratorów.