Samsung i NVIDIA zapowiadają erę nowej pamięci flash. 1000 warstw oraz radykalna efektywność energetyczna

13 March 2026

Samsung Electronics oraz NVIDIA zainicjowały współpracę w zakresie badań i rozwoju nad technologią ferroelektrycznej pamięci flash (FeNAND), co ma umożliwić stworzenie układów o gęstości 1000 warstw. Jak wynika z informacji publikowanych przez Seoul Economic Daily, ten technologiczny sojusz ma na celu rozwiązanie problemów z podażą czipów oraz drastyczne ograniczenie zużycia energii w infrastrukturze sztucznej inteligencji.

Ferroelektryczna rewolucja w architekturze pamięci

Kluczem do planowanego przełomu jest zastąpienie tradycyjnego krzemu materiałami ferroelektrycznymi, które potrafią utrzymać stan polaryzacji bez zewnętrznego pola elektrycznego o wysokim napięciu. Według szacunków redakcji Seoul Economic Daily, wdrożenie tej technologii pozwoli na redukcję zapotrzebowania na energię o rekordowe 96% w porównaniu do obecnych rozwiązań. Dzięki obniżeniu napięcia operacyjnego możliwe staje się gęstsze upakowanie komórek pamięci, co otwiera drogę do przekroczenia bariery 1000 warstw w architekturze 3D NAND. Obecnie rynkowym standardem są układy 200–300 warstwowe, więc zapowiadany skok technologiczny oznacza kilkukrotny wzrost wydajności i pojemności pojedynczego modułu.

Sztuczna inteligencja w służbie projektowania krzemu

Istotnym elementem współpracy jest wykorzystanie zaawansowanych narzędzi AI do przyspieszenia procesów badawczych. Zespół badawczy składający się z inżynierów Samsunga, NVIDIA oraz naukowców z Georgia Tech opracował model PINO (Physics-Informed Neural Operator). Narzędzie to pozwala na analizę wydajności urządzeń ferroelektrycznych nawet 10 000 razy szybciej niż konwencjonalne metody symulacji TCAD. Zamiast standardowych 60 godzin, jeden cykl testowy trwa obecnie zaledwie kilka sekund. Tak znaczące przyspieszenie etapu R&D jest niezbędne, aby skomplikowane właściwości materiałów ferroelektrycznych mogły zostać zoptymalizowane pod kątem komercyjnej produkcji masowej w nadchodzących latach.

Odpowiedź na kryzys energetyczny centrów danych

Sojusz Samsunga i NVIDIA stanowi odpowiedź na rosnące zapotrzebowanie dostawców chmurowych na efektywne energetycznie systemy przechowywania danych. Analitycy portalu Seoul Economic Daily wskazują, że globalna podaż wafli krzemowych NAND osiągnęła swój szczyt w 2022 roku i od tego czasu wykazuje tendencję spadkową, co stwarza ryzyko niedoborów w obliczu boomu na generatywną AI. Nowa technologia ma nie tylko zwiększyć dostępną pojemność, ale przede wszystkim ustabilizować koszty eksploatacji centrów danych, które zmagają się z ograniczeniami infrastruktury energetycznej. Samsung, posiadając blisko 28% globalnych patentów w obszarze ferroelektryków, umacnia tym samym swoją pozycję lidera w wyścigu o dominację na rynku pamięci nowej generacji.