Computex 2026: HBM5 od Samsunga zadebiutuje w 2028 roku

Podczas targów Computex 2026 w Tajpej koncern Samsung zaprezentował po raz pierwszy makietę swojej pamięci High Bandwidth Memory ósmej generacji. Nowatorskie układy HBM5 mają trafić do masowej produkcji około 2028 roku, oferując przełomowe rozwiązania w zakresie wydajności oraz odprowadzania ciepła. To kolejny krok koreańskiego giganta w walce o dominację na rynku technologii wspierających sztuczną inteligencję.

Zaprezentowana makieta HBM5 to bezpośredni następca rozwijanych obecnie układów HBM4E. Samsung planuje wykorzystać do produkcji kości bazowych nowej pamięci swój własny, wysoce zaawansowany proces technologiczny 2 nm. Rozwiązanie to ma zagwarantować bezprecedensową gęstość upakowania danych oraz radykalne przyspieszenie transferu.

Architektura nowej generacji będzie przygotowywana w trzech wariantach stosów pamięci DRAM, obejmujących wersje 12-warstwowe, 16-warstwowe oraz 20-warstwowe. Koncern intensywnie rozwija również kolejny proces technologiczny oznaczony jako 1d, który ma nastąpić po obecnym węźle 1c. Ta nowa technologia litografii znajdzie zastosowanie w jeszcze późniejszych wersjach pamięci, a mianowicie w modelach HBM5E.

Innowacyjne podejście do chłodzenia HPB

Architektura HBM5 przetwarza znacznie większe wolumeny danych przy ogromnych prędkościach, co prowadzi do gwałtownego wzrostu temperatury wewnątrz struktur krzemowych. Głównym źródłem ciepła wewnątrz kości bazowej jest fizyczna warstwa połączeń między układami, odpowiadająca za ultraszybki transfer danych między pamięcią a zewnętrznymi procesorami graficznymi. Aby zaradzić temu wyzwaniu, inżynierowie opracowali technologię Heat Path Block, tworzącą niezależną ścieżkę termiczną poprawiającą przewodzenie oraz redukującą opór cieplny układu.

Rozwiązanie to z powodzeniem wdrożono i przetestowano już w modelach HBM4E, a jego skuteczność w pełni potwierdzono w testach stabilności. Zbliżone podejście do redukcji temperatur prezentują także najwięksi konkurenci rynkowi. Firma SK hynix ujawniła niedawno własne rozwiązanie iHBM, które integruje elementy chłodzące bezpośrednio w obudowie pakietu pamięci i ma trafić do masowej produkcji w produktach nowej generacji.

– Technologia HPB została już zaimplementowana i walidowana w pamięciach HBM4E, przy czym zarówno niezawodność, jak i stabilność tego rozwiązania zostały w pełni zweryfikowane – podkreślił Song Jae-hyuk, CTO w pionie Samsung Electronics DS.