SK hynix przyspiesza rozwój AI dzięki nowym układom pamięci HBM4E

Koreański gigant technologiczny SK hynix rozpoczął dostarczanie pierwszych próbek 12-warstwowych pamięci HBM4E do swoich najważniejszych odbiorców. Nowe rozwiązanie oferuje wzrost przepustowości do poziomu 16 Gbps oraz poprawę efektywności energetycznej o ponad 20 procent, co stanowi bezpośrednią odpowiedź na rosnące wymagania sektora sztucznej inteligencji.

Wykorzystanie technologii 1c DRAM dla większej gęstości

SK hynix oparł konstrukcję swoich najnowszych modułów HBM4E na procesie technologicznym 10 nm klasy szóstej, oznaczonym symbolem 1c. Jest to znaczący krok naprzód względem piątej generacji 1b, którą wykorzystywano w starszych jednostkach HBM4. Dzięki zastosowaniu bardziej precyzyjnej geometrii procesu, układy te pozwalają na uzyskanie większej gęstości komórek pamięci na tej samej powierzchni krzemu. Przekłada się to bezpośrednio na osiągnięcie przepustowości rzędu 16 Gbps na jeden pin przy jednoczesnym ograniczeniu zużycia energii względem poprzednich rozwiązań. Takie parametry są kluczowe dla stabilnej obsługi procesów trenowania oraz wnioskowania przez rozbudowane modele językowe.

Nowoczesne pakowanie Advanced MR-MUF i poprawa termiki

W celu stworzenia 12-warstwowego stosu o łącznej pojemności 48 GB, producent wykorzystał zaawansowaną metodę pakowania Advanced MR-MUF. Technologia ta polega na precyzyjnym wypełnianiu przestrzeni między poszczególnymi warstwami krzemu specjalnym materiałem ochronnym, który po utwardzeniu stabilizuje całą konstrukcję. Zastosowanie tego rozwiązania wpłynęło nie tylko na integralność mechaniczną modułu, ale również na jego zdolność do odprowadzania ciepła. Według oficjalnych danych, wydajność termiczna nowej pamięci wzrosła o 17 procent w porównaniu do standardowych modułów HBM4. Umożliwia to zachowanie stabilności pracy w wymagających środowiskach obliczeniowych o wysokiej wydajności.

Intensyfikacja rywalizacji na rynku pamięci wysokiej przepustowości

Dostarczenie próbek HBM4E przez SK hynix następuje zaledwie kilka tygodni po podobnym ruchu ze strony firmy Samsung, co pokazuje wysokie tempo rozwoju tej branży. Obaj producenci dążą do objęcia pozycji lidera w dostarczaniu komponentów dla najszybszych serwerów AI, wykorzystując swoje doświadczenie z wcześniejszych generacji takich jak HBM3 i HBM3E. Podczas gdy obecne wysyłki skupiają się na standardzie 1c DRAM, w planach są już jeszcze nowocześniejsze procesy produkcyjne. Konkurencyjne podmioty zapowiadają rozpoczęcie masowej produkcji w technologii 1d na początku 2027 roku, co ma przynieść dalsze zyski w wydajności i stanowić fundament dla przyszłych modułów klasy HBM5.