Kepler Computing oferuje alternatywę dla pamięci HBM bez użycia technologii EUV. W produkcji już za rok

Amerykański startup Kepler Computing opracował nową technologię pamięci opartą na ferroelektrycznym RAMie oraz trójwymiarowym upakowaniu układów. Rozwiązanie ma stanowić tańszą alternatywę dla wyspecjalizowanych pamięci HBM i powstawać w dojrzałym procesie technologicznym 28 nm bez wykorzystania litografii EUV. Pierwsze próby produkcyjne zaplanowano na 2027 rok w zakładach GlobalFoundries w Singapurze.

Nowe podejście do architektur pamięci dla sztucznej inteligencji

Rosnące zapotrzebowanie na układy sztucznej inteligencji wywołuje niedobory oraz wysokie ceny pamięci o wysokiej przepustowości. Zamiast budować kosztowne fabryki wymagające zaawansowanych urządzeń litograficznych EUV, firma Kepler wykorzystuje pamięć ferroelektryczną (FeRAM) oraz technologię trójwymiarowego nakładania warstw. Taka konstrukcja ma oferować wydajność energetyczną zbliżoną do szybkiej pamięci SRAM, zapewniając jednocześnie do dziesięciu razy większą pojemność w porównaniu do rozwiązań SRAM i HBM. Dostosowanie istniejącej linii produkcyjnej 28 nm w zakładach GlobalFoundries do nowej technologii zajmuje około ośmiu miesięcy.

Harmonogram wdrożenia i zaplecze finansowe projektów

Przedsiębiorstwo przetworzyło dotychczas około 2000 wafli krzemowych w ramach testów, a pierwsze próbne układy mają pojawiać się w drugiej połowie 2026 roku. Masowa produkcja w fabryce w Singapurze ma ruszyć w 2027 roku, natomiast rok później planowane jest uruchomienie wytwarzania na terenie Stanów Zjednoczonych. Rozwój projektu wsparły finansowo podmioty GlobalFoundries, Intel Capital oraz AMD Ventures, przekazując w minionych latach łącznie około 468 milionów dolarów. Pozyskanie takich inwestorów sugeruje, że firmy Intel oraz AMD mogą w przyszłości stać się odbiorcami gotowych produktów.

We are proud to announce @keplercompute. Our mission is unlock computing for everyone by pushing memory and logic to the limits of physics.

Our team co-led one of the industry’s first 3D chip-stacking technologies, has led and scaled seven generations of DRAM and multiple logic… https://t.co/6bxN5wro5h

— Kepler Computing (@keplercompute) September 9, 2026

Wyzwania związane ze skalowaniem i opłacalnością

Przekształcenie dojrzałych zakładów półprzewodnikowych pozwala obniżyć wydatki inwestycyjne oraz skrócić czas potrzebny na zwiększenie mocy produkcyjnych. Tradycyjni producenci pamięci, tacy jak Samsung, SK Hynix czy Micron, przeznaczają miliardy dolarów na rozbudowę linii fabrycznych. Zastosowanie technologii FeRAM może utrzymać wydajność typową dla modułów HBM przy zauważalnie niższych kosztach wytwarzania. Mimo obiecujących założeń Kepler musi jednak dopiero udowodnić stabilność uzysku produkcyjnego oraz sprawność technologiczną w skali przemysłowej.