Samsung prezentuje nową pamięć V10 BV NAND dla rynku sztucznej inteligencji

Samsung Electronics zaprezentował nową generację pamięci dla obliczeń na potrzeby sztucznej inteligencji podczas konferencji Future of Memory and Storage w Kalifornii. Południowokoreański gigant przedstawił prototyp układu V10 BV NAND o ponad 400 warstwach oraz nowatorskie koncepty architektury zHBM i zNAND O. Zaprezentowane rozwiązania mają być pozbawione wąskich gardeł w transmisji danych i podnieść sprawność energetyczną systemów AI.

Podczas tegorocznej edycji wydarzenia FMS w Santa Clara koncern Samsung Electronics zademonstrował prototyp układu V10 Bonding V NAND, określanego również jako BV NAND. Nowy układ wykorzystuje nowatorskie łączenie wafli krzemowych oraz strukturę składającą się z ponad 400 pionowych warstw. Dzięki zastosowaniu tej konstrukcji inżynierom udało się zwiększyć gęstość upakowania pamięci o około 58% w porównaniu z poprzednią generacją V9 NAND.

Rosnąca popularność sztucznej inteligencji sprawia, że obciążenia systemów komputerowych nie ograniczają się już wyłącznie do trenowania dużych modeli językowych. Obecnie ogromne zasoby mocy obliczeniowej oraz pamięci masowej są pochłaniane przez proces wnioskowania, czyli generowanie odpowiedzi na zapytania użytkowników. Technologia BV NAND odpowiada na te potrzeby, oferując wyższe prędkości odczytu, zapisu oraz operacji wejścia i wyjścia przy niższym zużyciu energii.

– Technologia BV NAND zwiększa gęstość pamięci o około 58% w porównaniu z poprzednią wersją V9 NAND, poprawiając jednocześnie wydajność odczytu, zapisu oraz operacji wejścia i wyjścia w celu zaspokojenia rosnącego zapotrzebowania ze strony systemów sztucznej inteligencji – poinformowali przedstawiciele Samsung Electronics.

Pionowy stos zHBM rewolucjonizuje architekturę 3D

Obok pamięci flash producent pokazał również przełomowe koncepty architektury zHBM oraz zNAND O, stanowiące wizję rozwoju pamięci trójwymiarowych nowej ery. W tradycyjnych rozwiązaniach układy HBM są umieszczane obok akceleratorów graficznych na wspólnej matrycy podłoża. Koncepcja zHBM zakłada natomiast układanie kości pamięci bezpośrednio nad procesorami AI w układzie pionowym, co drastycznie skraca drogę przesyłu danych.

Zastosowanie metody hybrydowego łączenia wafli krzemowych w technologii zHBM pozwala na osiągnięcie ponad dziesięciokrotnie większej gęstości pamięci w porównaniu z rozwiązaniami standardu HBM5. Nowa architektura potraja wydajność energetyczną i redukuje opór cieplny o ponad połowę, co zwalcza kluczowe bariery techniczne w nowoczesnych centrach danych.

– Technologia łączenia wafli krzemowych w rozwiązaniach zHBM umożliwia uzyskanie ponad dziesięciokrotnie większej gęstości pamięci niż w przypadku konwencjonalnych pamięci HBM5, przy trzykrotnym zwiększeniu efektywności energetycznej i redukcji oporu cieplnego o ponad połowę – zadeklarowali przedstawiciele Samsung Electronics.

Silny popyt ze strony sektora sztucznej inteligencji

Wprowadzenie nowej linii produktów zbiega się w czasie z dyskusjami inwestorów na temat trwałości ożywienia na rynku półprzewodników. Mimo obaw dotyczących ewentualnego osłabienia popytu na smartfony w Chinach, analitycy wskazują na wyjątkowo silne zapotrzebowanie ze strony dostawców infrastruktury AI. Stabilność tego trendu potwierdzają dane ujawnione niedawno przez koreańskiego producenta.

Przedstawiciele firmy Samsung poinformowali w zeszłym tygodniu, że długoterminowe umowy z kluczowymi klientami mogą docelowo odpowiadać za 60% do 70% całkowitej sprzedaży pamięci. Analitycy amerykańskiego banku inwestycyjnego Citi zauważyli w swoim raporcie, że poziomy zapasów w łańcuchach dostaw DRAM oraz NAND pozostają wyraźnie poniżej średnich historycznych. Świadczy to o utrzymującej się dysproporcji między wysokim zapotrzebowaniem rynkowym a dostępną podażą komponentów.