Samsung sięgnie po technologię TSMC przy produkcji pamięci HBM dla NVIDII

Samsung Electronics ma wykorzystać proces technologiczny TSMC klasy 3 nm do produkcji pamięci HBM nowej generacji przeznaczonych dla NVIDII. Według południowokoreańskich mediów koncern zaakceptował wymagania amerykańskiego producenta akceleratorów AI, odchodząc w tym projekcie od dotychczasowej strategii samodzielnego wytwarzania wszystkich najważniejszych elementów pamięci.

Informację podał Seoul Economic Daily, powołując się na źródła branżowe. Według dziennika Samsung będzie korzystać z technologii TSMC do produkcji matryc bazowych (base die), które stanowią logiczną część stosu pamięci HBM. Firmy nie potwierdziły oficjalnie szczegółów tej współpracy.

NVIDIA chce ujednolicić produkcję pamięci

Zmiana ma dotyczyć układów NVHBM, czyli pamięci o wysokiej przepustowości projektowanych pod kątem wymagań NVIDII. Amerykańska firma miała zwrócić się do trzech największych producentów HBM, Samsunga, SK hynix i Microna, o wykorzystanie procesu TSMC klasy 3 nm przy wytwarzaniu matryc bazowych.

Jednocześnie NVIDIA oczekuje zastosowania technologii DRAM szóstej generacji 1c do produkcji właściwych warstw pamięci. Celem jest ujednolicenie parametrów układów pochodzących od różnych dostawców oraz ograniczenie kosztów ich projektowania i weryfikacji.

Matryca bazowa odpowiada za komunikację między warstwami pamięci a procesorem. W projektowanej architekturze NVHBM część funkcji kontrolera ma zostać przeniesiona z GPU do tej właśnie struktury. Pozwoliłoby to przeznaczyć większą powierzchnię procesora graficznego na jednostki obliczeniowe. Nowe rozwiązanie może zwiększyć przepustowość pamięci nawet o 30% i ograniczyć pobór energii o 15% względem standardowych HBM4E.

Samsung nie rezygnuje z własnych fabryk

Decyzja byłaby istotnym odstępstwem od dotychczasowego modelu działalności Samsunga. Koreański producent dysponuje zarówno zakładami DRAM, jak i własnym biznesem foundry, dzięki czemu może samodzielnie wytwarzać najważniejsze elementy pamięci HBM. W standardowych układach HBM4 i HBM4E Samsung zamierza nadal wykorzystywać własny proces 4 nm. Podobną strategię planuje utrzymać przy pamięciach projektowanych dla klientów innych niż NVIDIA.

Współpraca z TSMC może natomiast ułatwić zwiększanie podaży zaawansowanych pamięci dla akceleratorów AI. Rosnące zapotrzebowanie na HBM sprawia, że dostęp do odpowiednich mocy produkcyjnych staje się równie ważny jak możliwości technologiczne samych układów.

Według koreańskiego dziennika Samsung równolegle bada możliwość produkowania matryc NVHBM we własnych zakładach. Pozwoliłoby to ograniczyć zależność od TSMC, gdyby popyt przekroczył dostępne moce tajwańskiego producenta.