Intel wraca do korzeni i po czterech dekadach rozważa produkcję pamięci

Intel może szykować kolejny zwrot w swojej strategii półprzewodnikowej. Lip-Bu Tan, prezes firmy, przyznał, że nowe architektury pamięci stały się jednym z obszarów, którym szczególnie się interesuje. Nie oznacza to jeszcze powrotu do masowej produkcji DRAM, ale kilka ruchów Intela sugeruje, że pamięć znów może stać się ważną częścią jego technologicznego planu.

– Kiedyś uważałem, że nie należy inwestować w pamięci, bo to w pewnym sensie biznes towarowy, ale teraz sytuacja się zmieniła – powiedział Lip-Bu Tan, CEO Intel, w podcaście TechSurge.

Szef Intela wskazał, że na rynku pojawia się wiele nowych technologii i firma analizuje nowe architektury pamięci.

Tan zwrócił też uwagę na możliwość znacznie ściślejszej integracji procesora i pamięci, włącznie z ich pionowym układaniem. Taki kierunek ma szczególne znaczenie w systemach AI, gdzie przepustowość i opóźnienia dostępu do danych coraz częściej ograniczają wydajność układów obliczeniowych.

Ważnym sygnałem jest zatrudnienie Seok-Hee Lee, byłego prezesa SK hynix. Według oficjalnego komunikatu Intela z 18 czerwca 2026 roku Lee został wiceprezesem wykonawczym Intel Foundry i odpowiada za zaawansowane pakowanie, integrację systemów oraz technologie produkcji zaplecza. Tan sam zasugerował, że ten transfer może wskazywać, o czym myśli firma.

XBM i ZAM pokazują kierunek

Jednym z najbardziej konkretnych śladów tych prac jest zgłoszenie patentowe opisujące XBM, czyli Cross-Batch Memory. Dokument opublikowany 2 lipca 2026 roku przedstawia pamięć o bardzo wysokiej przepustowości oraz interfejs UCIe. Koncepcja ma ograniczyć zależność od kosztownego krzemowego interposera stosowanego w HBM i uprościć integrację pamięci z układami obliczeniowymi. Na razie jest to jednak projekt patentowy, a Intel nie przedstawił planu wprowadzenia XBM do sprzedaży.

Równolegle Intel współpracuje z japońską SAIMEMORY, spółką zależną SoftBanku, nad technologią Z-Angle Memory. ZAM ma wykorzystywać pionową architekturę stosu pamięci i zwiększać pojemność oraz przepustowość przy niższym zużyciu energii. Według SAIMEMORY prototypy mają powstać w roku fiskalnym 2027, a komercjalizacja jest planowana na rok fiskalny 2029.

Powrót do korzeni, ale na innych zasadach

Dla Intela byłby to symboliczny powrót do korzeni. Firma wprowadziła w 1970 roku układ 1103 DRAM, który odegrał ważną rolę w upowszechnieniu pamięci półprzewodnikowej, ale w 1985 roku wycofała się z produkcji kości DRAM i skoncentrowała na mikroprocesorach. Później rozwijała między innymi pamięci NAND i technologię Optane, jednak biznes NAND sprzedała SK hynix, a transakcję ostatecznie zamknięto 27 marca 2025 roku.

Obecne działania nie wyglądają więc na prosty powrót do dawnego modelu. Intel zdaje się szukać sposobu, by pamięć stała się częścią architektury procesora i pakietu, a nie osobnym, niskomarżowym produktem. W erze AI takie podejście może mieć większe znaczenie niż sama produkcja kolejnych kości DRAM.